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品牌:芯朋微
型号:ID5S606BSEC-R1
封装:SOP8
功率:600V
电流:300mA / 600mA
订购热线: 0755-23087599
ID5S606B栅极驱动专用芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力,输入端具有有效电平逻辑互锁功能,能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。
ID5S606B芯片特性
■ 高侧浮动偏移电压600V
■ 输入信号兼容3.3V和5V逻辑电平
■ dV/dt 抗干扰能力±50V/nsec
■ 自举工作的浮地通道
■ 芯片工作电压范围 10V ~20V
■ 低侧具有欠压保护功能
■ 输出拉灌电流能力300mA/600mA
■ Vs负电压能力-5V
■ 高低侧通道均延时匹配
封装及引脚功能

典型应用电路图
应用领域
■ 中小型功率电机驱动
■ 功率MOSFET 或IGBT 驱动
■ 半桥功率逆变器
■ 全桥功率逆变器
■ 任意互补驱动转换器
ID5S606BSEC-R1栅极驱动专用芯片采用SOP8封装,输入功率电压高达 600V,宽范围工作电压范围10-20V ,输入兼容 3.3V, 5V 逻辑工作电平,具有防直通保护、欠压保护等特点,可兼容PN7103/IR2103单相步进伊人直播app99久久亚洲,典型应用于高压风机和泵及步进马达等领域,更多ID5S606B芯片相关资料请向我们申请。>>
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