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伊人直播下载福利社入口 禁漫天堂官网绝缘栅双极型晶体管参数

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文章出处:伊人直播appapp下载安装 责任编辑:禁漫天堂官网 人气: - 发表时间:2023-03-28 13:34
IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高频率、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”,士兰微生产的耐压600V IGBT产品,覆盖了从5A至50A的电流规格,在电焊机、变频器和IPM领域已经得到了大规模应用,获得了业内广泛好评。
SGTP5T60SD1D/F/S IGBT绝缘栅双极型晶体管,5A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A,有TO252、TO263、TO220F多种封装,可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
SGT15T60SD1T/F/S 15A、600V绝缘栅双极型晶体管,饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=15A,有T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-263-2L多种封装,具有较低的导通损耗和开关损耗。
SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 绝缘栅双极型晶体管,集电极-射极电压600V,集电极电流(Tc=100°)20A,具有较低的饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=20A,有T0-220F-3L、T0-263-2L、T0-247-3L、T0-220FD-3L、T0-3P、T0-220-3L多种封装。
SGT20T60SDM1P7 20、600V绝缘栅双极型晶体管,饱和压降VCE(sat)(典型)=1.7V@IC=20A,采用T0-247-3L封装,具有导通损耗、快开关速度、高输入阻抗等特点。
SGT30T60SD1F 绝缘栅双极型晶体管,集电极-射极电压600V,集电极电流(Tc=100°)30A,具有较低的饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A,有T0-220F-3L、TO-220FD-3L两种封装。
SGT30T60SDM1P7 30A、600V绝缘栅双极型晶体管,饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A,采用T0-2473L封装。
SGTP50V60FD2PF绝缘栅双极型晶体管,集电极-射极电压600V,集电极电流(Tc=100°)50A,饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=50A,采用TO-3PF封装,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
禁漫天堂官网系列有TO252、TO263、TO220F、TO247、TO220FD、TO3PF、TO247N等多种封装,满足不同市场和应用的需求提供品质稳定和优异性能的产品,同时能够控制成本,保证供货,从而能让产品在价格、供货以及技术支持方面有着持续的优势,更多600V-1350V IGBT绝缘栅双极型晶体管产品手册、参数及方案应用资料请向 士兰微IGBT代理商 伊人直播appapp下载安装申请。>>
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