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伊人直播下载国 产一区二区久久 士兰微650V高压超结STS系列,广泛应用于消费类电源领域!

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文章出处: 伊人直播下载地址发布页 责任编辑:海角社区免费 人气: - 发表时间:2023-11-08 10:28
士兰微新一代高压650V MOSFET系列,采用Super-Junction(超结)结构,工作电流在5A—20A之间,打破VDMOS器件Rdson与BVDSS之间的矛盾关系,在降低器件的导通电阻的同时,BVDSS可以做到几乎不变,广泛应用于工业电源,LED屏电源,调光电源等硬/软开关拓扑领域。
STS65R900D(F)S2 漏源电压650V, 漏极电流5A,导通电阻RDS(on)(典型值)=0.75Ω@VGS=10V,有T0-252-2L、T0-220F-3L多种封装。
STS65R580D(F)(S)S2漏源电压650V, 漏极电流8A, 导通电阻RDS(on)(典型值)=0.52Ω@VGS=10V,有T0-252-2L、T0-220F-3L、T0-263-2L多种封装。
STS65R360D(F)S2漏源电压650V, 漏极电流12A,导通电阻RDS(on)(典型值)=0.3Ω@VGS=10V,有T0-252-2L、T0-220F-3L多种封装。
STS65R280D(F)S2 漏源电压650V, 漏极电流14A,导通电阻RDS(on)(典型值)=0.24Ω@VGS=10V,有T0-252-2L、T0-220F-3L多种封装。
STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 漏源电压650V, 漏极电流20A,导通电阻RDS(on)(典型值)=0.155Ω@VGS=10V,有T0-220F-3L、DFN-48x8x0.85-2.0、T0-220-3L、T0-263-2L多种封装。
650V超结MOSFET系列具有更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度,拥有多种封装形式,能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求,更多低压、高压及超结MOS器件替换及产品手册、参数等方案资料请向 士兰微mos代理 伊人直播下载地址发布页申请。>>
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